Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 13 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI2325DS-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI2325DS-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Producentens standard leveringstid	63 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Overflademontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 510 pF @ 25 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 750mW (Ta)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 150 V	Leverandørs enhedspakning SOT-23-3 (TO-236)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 530mA (Ta)	Pakke/hus TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer SI2325
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,2Ohm @ 500mA, 10V