Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 4.725 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

XPN6R706NC,L1XHQ
DigiKeys varenummer	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	XPN6R706NC,L1XHQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	XPN6R706NC,L1XHQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	6,7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 300µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2000 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	XPN6R706