Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 24.2375 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

INFORMATION

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

HJÆLP

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

Kontakt os

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

TPW2900ENH,L1Q
DigiKeys varenummer	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPW2900ENH,L1Q
Beskrivelse	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Overflademontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	29mOhm @ 16,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2200 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Driftstemperatur	150°C
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-DSOP Advance
Pakke/hus	8-PowerVDFN

Antal	Enhedspris	Udv. pris
1	19,39000 kr.	19,39 kr.
10	14,29800 kr.	142,98 kr.
100	10,37950 kr.	1.037,95 kr.
500	9,42976 kr.	4.714,88 kr.

Enhedspris uden moms:	19,39000 kr.
Enhedspris med moms:	24,23750 kr.

TPW2900ENH,L1Q

INFORMATION

HJÆLP

Kontakt os

FØLG OS