Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 10.4625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPN4R712MD,L1Q
DigiKeys varenummer	TPN4R712MDL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Afskåret tape (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPN4R712MD,L1Q
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPN4R712MD,L1Q Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 65 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (maks.) ±12V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4300 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 42W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 36A (Tc)	Pakke/hus 8-PowerVDFN
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 2,5V, 4,5V	Grundlæggende varenummer TPN4R712
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 4,7mOhm @ 18A, 4,5V