Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN2R805PL,L1QTR-ND
Price: 11.575 DKK
Availability: OutOfStock

TPN2R805PL,L1Q er ikke på lager og kan placeres på restordre.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 21,94000 kr.

Datablad

Se og sammenlign alle erstatningsvarer

N-kanal 45 V 80A (Tc) 2,67W (Ta), 104W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPN2R805PL,L1Q
DigiKeys varenummer	264-TPN2R805PL,L1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPN2R805PL,L1QCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TPN2R805PL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPN2R805PL,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 45 V 80A (Tc) 2,67W (Ta), 104W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPN2R805PL,L1Q Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 300µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3200 pF @ 22.5 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 2,67W (Ta), 104W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 45 V	Leverandørs enhedspakning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Pakke/hus 8-PowerVDFN
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer TPN2R805
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,8mOhm @ 40A, 10V