Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 18.8625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKeys varenummer	TPN1110ENHL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Afskåret tape (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPN1110ENH,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPN1110ENH,L1Q Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 200µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 600 pF @ 100 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 200 V	Leverandørs enhedspakning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 7,2A (Ta)	Pakke/hus 8-PowerVDFN
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Grundlæggende varenummer TPN1110
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3,6A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 28.318

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®