TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete halvlederprodukter

TK4A60D(STA4,Q,M) det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 0

Enhedspris : 9,15000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 425

Enhedspris : 18,05000 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 330

Enhedspris : 10,82000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 6,92211 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 285

Enhedspris : 0,00000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 2.011

Enhedspris : 11,52000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TK4A60D(STA4,Q,M)
DigiKeys varenummer	TK4A60D(STA4QM)-ND
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TK4A60D(STA4,Q,M)
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Hulmontering TO-220SIS
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TK4A60D(STA4,Q,M) Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,4V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	600 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	35W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-220SIS
Pakke/hus	TO-220-3 Full Pack
Grundlæggende varenummer	TK4A60