SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SCT2H12NYTB
DigiKeys varenummer	SCT2H12NYTBTR-ND - Tape & Reel (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Afskåret tape (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Rohm Semiconductor
Producentens varenummer	SCT2H12NYTB
Beskrivelse	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflademontering TO-268
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SCT2H12NYTB Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1700 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,5Ohm @ 1,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 410µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -6V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	184 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	44W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-268
Pakke/hus	TO-268-3, D3PAK (2 ledere + tab), TO-268AA
Grundlæggende varenummer	SCT2H12