SCT2H12NYTB det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
På lager: 611
Enhedspris : 37,85000 kr.
Datablad
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflademontering TO-268
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflademontering TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

DigiKeys varenummer
SCT2H12NYTBTR-ND - Tape & Reel (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Afskåret tape (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter
Producentens varenummer
SCT2H12NYTB
Beskrivelse
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflademontering TO-268
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
SCT2H12NYTB Modeller
Produktegenskaber
Filtrer lignende produkter
Vis tomme attributter
Kategori
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 410µA
Mfr
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Emballage
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Vgs (maks.)
+22V, -6V
Varestatus
Forældet
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
184 pF @ 800 V
FET-type
Effektspredning (maks.)
44W (Tc)
Teknologi
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss)
1700 V
Monteringstype
Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Leverandørs enhedspakning
TO-268
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
18V
Pakke/hus
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
1,5Ohm @ 1,1A, 18V
Grundlæggende varenummer
Miljø- og eksportklassifikationer
Produktspørgsmål og svar
Flere ressourcer
Erstatningsvarer (1)
VarenummerProducenter Tilgængelig antalDigiKeys varenummer Enhedspris Alternativ type
SCT2H12NWBTL1Rohm Semiconductor611846-SCT2H12NWBTL1CT-ND37,85000 kr.MFR Recommended
Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.