Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 6.2375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

RQ3G100GNTB
DigiKeys varenummer	RQ3G100GNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Afskåret tape (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Rohm Semiconductor
Producentens varenummer	RQ3G100GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Overflademontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	RQ3G100GNTB Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Ikke til nye design
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	14,3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	615 pF @ 20 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2W (Ta)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-HSMT (3,2x3)
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	RQ3G100