Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTBTR-ND
Price: 9.3 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

RQ3E180BNTB
DigiKeys varenummer	RQ3E180BNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RQ3E180BNTBCT-ND - Afskåret tape (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Rohm Semiconductor
Producentens varenummer	RQ3E180BNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Overflademontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	RQ3E180BNTB Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3500 pF @ 15 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 39A (Tc)	Leverandørs enhedspakning 8-HSMT (3,2x3)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus 8-PowerVDFN
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 3,9mOhm @ 18A, 10V	Grundlæggende varenummer RQ3E180

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 4.878

Kontroller for yderligere indgående lager

Når det tilgængelige lager af dette produkt er udtømt, vil producentens standardpakke og leveringstid gælde.

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT)

Tape & Reel (TR)

Antal	Enhedspris	Udv. pris
3.000	1,76698 kr.	5.300,94 kr.

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	7,44000 kr.
Enhedspris med moms:	9,30000 kr.

RQ3E180BNTB