Name: RQ3E150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E150GNTBTR-ND
Price: 7.6125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

RQ3E150GNTB
DigiKeys varenummer	RQ3E150GNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RQ3E150GNTBCT-ND - Afskåret tape (CT) RQ3E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Rohm Semiconductor
Producentens varenummer	RQ3E150GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Overflademontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	RQ3E150GNTB Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 850 pF @ 15 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 2W (Ta), 17W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 15A (Ta), 39A (Tc)	Leverandørs enhedspakning 8-HSMT (3,2x3)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus 8-PowerVDFN
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 6,1mOhm @ 15A, 10V	Grundlæggende varenummer RQ3E150

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 14.440

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	6,09000 kr.
Enhedspris med moms:	7,61250 kr.

RQ3E150GNTB