Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 7.2625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

RQ3E120BNTB
DigiKeys varenummer	RQ3E120BNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RQ3E120BNTBCT-ND - Afskåret tape (CT) RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Rohm Semiconductor
Producentens varenummer	RQ3E120BNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Producentens standard leveringstid	21 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Overflademontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	RQ3E120BNTB Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	9,3mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1500 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2W (Ta)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-HSMT (3,2x3)
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	RQ3E120

Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 2.572

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)