BSM600D12P3G001 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
På lager: 8
Enhedspris : 7.582,17000 kr.
Datablad
BSM600D12P3G001
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKeys varenummer
846-BSM600D12P3G001-ND
Producenter
Producentens varenummer
BSM600D12P3G001
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
MOSFET'er – Arrays 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Producenter
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballage
Bulk
Varestatus
Forældet
Teknologi
Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (halvbro)
FET-funktionalitet
-
Afladning til kildespænding (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,6V @ 182mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
31000pF @ 10V
Effekt - Maks.
2450W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassismontering
Pakke/hus
Modul
Leverandørs enhedspakning
Modul
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.