SIC Power Module
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKeys varenummer
BSM180D12P3C007-ND
Producenter
Producentens varenummer
BSM180D12P3C007
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Producentens standard leveringstid
22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
MOSFET'er – Arrays 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflademontering Modul
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
BSM180D12P3C007 Modeller
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Producenter
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballage
Bulk
Varestatus
Aktiv
Teknologi
Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (dobbelt)
FET-funktionalitet
-
Afladning til kildespænding (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,6V @ 50mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
900pF @ 10V
Effekt - Maks.
880W
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstype
Overflademontering
Pakke/hus
Modul
Leverandørs enhedspakning
Modul
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 13
Kontroller for yderligere indgående lager
Alle priser er i DKK
Bulk
Antal Enhedspris Udv. pris
13.633,03000 kr.3.633,03 kr.
Enhedspris uden moms:3.633,03000 kr.
Enhedspris med moms:4.541,28750 kr.