BSM180D12P2E002
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeys varenummer
846-BSM180D12P2E002-ND
Producenter
Rohm Semiconductor
Producentens varenummer
BSM180D12P2E002
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Producentens standard leveringstid
22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
MOSFET'er – Arrays 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Producenter
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballage
Bulk
Varestatus
Aktiv
Teknologi
Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (halvbro)
FET-funktionalitet
-
Afladning til kildespænding (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 35,2mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
18000pF @ 10V
Effekt - Maks.
1360W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassismontering
Pakke/hus
Modul
Leverandørs enhedspakning
Modul
Grundlæggende varenummer
BSM180
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 4
Kontroller for yderligere indgående lager
Antal
Alle priser er i DKK
Bulk
Antal Enhedspris Udv. pris
14.363,43000 kr.4.363,43 kr.
Enhedspris uden moms:4.363,43000 kr.
Enhedspris med moms:5.454,28750 kr.