TPH3207WS Renesas Electronics Corporation | Enkelt FET’er, MOSFET’er

TPH3207WS det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Renesas Electronics Corporation

På lager: 0

Enhedspris : 141,91000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 159,91000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 115

Enhedspris : 98,70000 kr.

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 348

Enhedspris : 76,20000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 509

Enhedspris : 68,03000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPH3207WS
DigiKeys varenummer	TPH3207WS-ND
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	TPH3207WS
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Hulmontering TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPH3207WS Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,65V @ 700µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	42 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±18V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2197 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	178W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247-3
Pakke/hus	TO-247-3