TPD3215M Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPD3215M
DigiKeys varenummer	TPD3215M-ND
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	TPD3215M
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 600V 70A (Tc) 470W Hulmontering Modul
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Bulk
Varestatus	Forældet
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Konfiguration	2 N-kanal (halvbro)
FET-funktionalitet	-
Afladning til kildespænding (Vdss)	600V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	28nC @ 8V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2260pF @ 100V
Effekt - Maks.	470W
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Hulmontering
Pakke/hus	Modul
Leverandørs enhedspakning	Modul
Grundlæggende varenummer	TPD3215