TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TP90H050WS
DigiKeys varenummer	1707-TP90H050WS-ND
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	TP90H050WS
Beskrivelse	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Hulmontering TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Afladning til kildespænding (Vdss)	900 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	63mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,4V @ 700µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	980 pF @ 600 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	119W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247-3
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	TP90H050