Name: TP65H150BG4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND
Price: 42.7125 DKK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Overflademontering 8-PQFN (5x6)

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TP65H150BG4JSG-TR
DigiKeys varenummer	1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND - Tape & Reel (TR) 1707-TP65H150BG4JSG-TRCT-ND - Afskåret tape (CT) 1707-TP65H150BG4JSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	TP65H150BG4JSG-TR
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Overflademontering 8-PQFN (5x6)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TP65H150BG4JSG-TR Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 6V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,8V @ 500µA
Serie SuperGaN®	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 4.9 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±10V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 400 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 83W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 16A (Tc)	Leverandørs enhedspakning 8-PQFN (5x6)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V	Pakke/hus 8-PowerTDFN