TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TP65H035G4WSQA
DigiKeys varenummer	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	TP65H035G4WSQA
Beskrivelse	650 V 46.5 GAN FET
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Hulmontering TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	47,2A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,8V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	187W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247-3
Pakke/hus	TO-247-3