NTHL1000N170M1 onsemi | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

NTHL1000N170M1
DigiKeys varenummer	5556-NTHL1000N170M1-ND
Producenter	onsemi
Producentens varenummer	NTHL1000N170M1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1700 V 4,2A (Tc) 48W Hulmontering TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	onsemi
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1700 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	4,2A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 640µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	150 pF @ 1000 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	48W
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247-3
Pakke/hus	TO-247-3