ISL9N303AS3ST onsemi | Diskrete halvlederprodukter

ISL9N303AS3ST det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 2.049

Enhedspris : 21,09000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 5

Enhedspris : 17,80000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 0

Enhedspris : 24,51000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 64

Enhedspris : 28,90000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 14,90000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

ISL9N303AS3ST
DigiKeys varenummer	ISL9N303AS3ST-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	onsemi
Producentens varenummer	ISL9N303AS3ST
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	onsemi
Serie	UltraFET™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3,2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	7000 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	215W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-263 (D2PAK)
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	ISL9