FQB10N50CFTM-WS onsemi | Diskrete halvlederprodukter

FQB10N50CFTM-WS det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

onsemi

På lager: 6.978

Enhedspris : 28,44000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 281

Enhedspris : 33,60000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 700

Enhedspris : 32,19000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 47

Enhedspris : 98,30000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 1.524

Enhedspris : 67,34000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 366

Enhedspris : 27,09000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

FQB10N50CFTM-WS
DigiKeys varenummer	FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	onsemi
Producentens varenummer	FQB10N50CFTM-WS
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	FQB10N50CFTM-WS Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	onsemi
Serie	FRFET®, QFET™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	500 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	610mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2210 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	143W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-263 (D2PAK)
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	FQB10N50