8-VDFN Exposed Pad
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
8-VDFN Exposed Pad
8-VDFN Exposed Pad
Nexperia- e-mode GaN FETs | First Look

GAN190-650EBEZ

DigiKeys varenummer
1727-GAN190-650EBEZTR-ND - Tape & Reel (TR)
1727-GAN190-650EBEZCT-ND - Afskåret tape (CT)
1727-GAN190-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter
Nexperia USA Inc.
Producentens varenummer
GAN190-650EBEZ
Beskrivelse
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Overflademontering, Fugtbar side DFN8080-8
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Varestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
11,5A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
6V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 3,9A, 6V
Vgs(th) (maks.) @ Id
2,5V @ 12,2mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (maks.)
+7V, -1,4V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
96 pF @ 400 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Overflademontering, Fugtbar side
Leverandørs enhedspakning
DFN8080-8
Pakke/hus
8-VDFN eksponeret overflade
Grundlæggende varenummer
GAN190
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 1.543
Kontroller for yderligere indgående lager
Antal
Alle priser er i DKK
Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®
Antal Enhedspris Udv. pris
137,28000 kr.37,28 kr.
1024,91000 kr.249,10 kr.
10017,90840 kr.1.790,84 kr.
50017,54426 kr.8.772,13 kr.
* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.
Tape & Reel (TR)
Antal Enhedspris Udv. pris
2.5009,19125 kr.22.978,12 kr.
Producenters standard pakke
Enhedspris uden moms:37,28000 kr.
Enhedspris med moms:46,60000 kr.
Wellicht bent u ook geïnteresseerd inSe alle
9 Elementer
GAN190-650FBEZ

GAN190-650FBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

34,44000 kr.
IGLR65R200D2XUMA1

IGLR65R200D2XUMA1

IGLR65R200D2XUMA1

Infineon Technologies

17,29000 kr.
GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Nexperia USA Inc.

49,86000 kr.
CDF56G6517N TR13 PBFREE

CDF56G6517N TR13 PBFREE

650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN

Central Semiconductor Corp

36,64000 kr.
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

52,12000 kr.
IGLR65R140D2XUMA1

IGLR65R140D2XUMA1

IGLR65R140D2XUMA1

Infineon Technologies

23,54000 kr.
GAN140-650FBEZ

GAN140-650FBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

48,12000 kr.
TP65H030G4PRS-TR

TP65H030G4PRS-TR

GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT

Renesas Electronics Corporation

64,24000 kr.
IGLD65R080D2AUMA1

IGLD65R080D2AUMA1

HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies

36,64000 kr.