Name: GAN190-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650EBEZTR-ND
Price: 48.975 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

GAN190-650EBEZ
DigiKeys varenummer	1727-GAN190-650EBEZTR-ND - Tape & Reel (TR) 1727-GAN190-650EBEZCT-ND - Afskåret tape (CT) 1727-GAN190-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Nexperia USA Inc.
Producentens varenummer	GAN190-650EBEZ
Beskrivelse	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Producentens standard leveringstid	4 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Overflademontering, Fugtbar side DFN8080-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 12,2mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 2.8 nC @ 6 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +7V, -1,4V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 96 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 125W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Overflademontering, Fugtbar side
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 11,5A (Tc)	Leverandørs enhedspakning DFN8080-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V	Pakke/hus 8-VDFN eksponeret overflade
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 3,9A, 6V	Grundlæggende varenummer GAN190