G2R1000MT33J Navitas Semiconductor, Inc. | Enkelt FET’er, MOSFET’er

G2R1000MT33J det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Parametrisk ækvivalent

Navitas Semiconductor, Inc.

På lager: 1.058

Enhedspris : 161,10000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

G2R1000MT33J
DigiKeys varenummer	1913-G2R1000MT33J-ND
Producenter	Navitas Semiconductor, Inc.
Producentens varenummer	G2R1000MT33J
Beskrivelse	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Overflademontering TO-263-7
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	G2R1000MT33J Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 2mA
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 21 nC @ 20 V
Serie G2R™	Vgs (maks.) +20V, -5V
Emballage Rør	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 238 pF @ 1000 V
Varestatus Forældet	Effektspredning (maks.) 74W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 3300 V	Leverandørs enhedspakning TO-263-7
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 4A (Tc)	Pakke/hus TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 20V	Grundlæggende varenummer G2R1000
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,2Ohm @ 2A, 20V