IXTH6N90 IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXTH6N90 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

onsemi

På lager: 350

Enhedspris : 37,25000 kr.

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhedspris : 0,00000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 391

Enhedspris : 49,22000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 589

Enhedspris : 17,73000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 485

Enhedspris : 21,89000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXTH6N90
DigiKeys varenummer	IXTH6N90-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXTH6N90
Beskrivelse	MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 900 V 6A (Tc) 180W (Tc) Hulmontering TO-247 (IXTH)

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	900 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2600 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	180W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247 (IXTH)
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	IXTH6