IXTH52N65X IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXTH52N65X det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

IXYS

På lager: 450

Enhedspris : 71,72000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 16

Enhedspris : 90,95000 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 1.305

Enhedspris : 39,09000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 917

Enhedspris : 79,79000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 443

Enhedspris : 73,14000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXTH52N65X
DigiKeys varenummer	IXTH52N65X-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXTH52N65X
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Hulmontering TO-247 (IXTH)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IXTH52N65X Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	Ultra X
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	52A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	68mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	4350 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	660W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247 (IXTH)
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	IXTH52