Name: IXTA1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1N200P3HV-ND
Price: 83.8375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXTA1N200P3HV
DigiKeys varenummer	IXTA1N200P3HV-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXTA1N200P3HV
Beskrivelse	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Producentens standard leveringstid	33 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Overflademontering TO-263AA
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IXTA1N200P3HV Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	Polar P3™
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	2000 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	646 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-263AA
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IXTA1