Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 233.275 DKK
Availability: OutOfStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXSJ80N120R1K
DigiKeys varenummer	238-IXSJ80N120R1K-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXSJ80N120R1K
Beskrivelse	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Producentens standard leveringstid	32 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 85A (Tc) 223,2W (Tc) Hulmontering ISO247-4L
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	85A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	23,4mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,8V @ 22,2mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	155 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+21V, -4V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	4556 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	223,2W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	ISO247-4L
Pakke/hus	TO-247-4