IXFN55N120SK IXYS | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXFN55N120SK
DigiKeys varenummer	238-IXFN55N120SK-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXFN55N120SK
Beskrivelse	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 54A (Tc) Chassismontering SOT-227B
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	54A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	42mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 12 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+15V, -4V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3360 pF @ 1000 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	-
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Chassismontering
Leverandørs enhedspakning	SOT-227B
Pakke/hus	SOT-227-4, miniBLOC