IXFN30N110P IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXFN30N110P det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Microchip Technology

På lager: 0

Enhedspris : 299,21550 kr.

Similar

Microchip Technology

På lager: 0

Enhedspris : 327,85400 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXFN30N110P
DigiKeys varenummer	IXFN30N110P-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXFN30N110P
Beskrivelse	MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1100 V 25A (Tc) 695W (Tc) Chassismontering SOT-227B

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	6,5V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	13600 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	695W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Chassismontering
Leverandørs enhedspakning	SOT-227B
Pakke/hus	SOT-227-4, miniBLOC
Grundlæggende varenummer	IXFN30