IXFH9N80Q IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXFH9N80Q det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Infineon Technologies

På lager: 850

Enhedspris : 24,70000 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 1.847

Enhedspris : 35,48000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 544

Enhedspris : 39,02000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IXFH9N80Q
DigiKeys varenummer	IXFH9N80Q-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	IXFH9N80Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Hulmontering TO-247AD (IXFH)

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	800 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 2,5mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	180W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247AD (IXFH)
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	IXFH9