SPB100N03S203T Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

SPB100N03S203T det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 0

Enhedspris : 0,00000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 2.049

Enhedspris : 21,09000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 5

Enhedspris : 17,80000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 6.003

Enhedspris : 17,16000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 427

Enhedspris : 25,54000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SPB100N03S203T
DigiKeys varenummer	SPB100N03S203XTINTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	SPB100N03S203T
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	7020 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3-2
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	SPB100N