IRF1010EZ Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IRF1010EZ det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Infineon Technologies

På lager: 244

Enhedspris : 11,16000 kr.

Direkte

Rochester Electronics, LLC

På lager: 30

Enhedspris : 13,42000 kr.

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 570

Enhedspris : 19,61000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 917

Enhedspris : 16,45000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 629

Enhedspris : 18,71000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IRF1010EZ
DigiKeys varenummer	IRF1010EZ-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IRF1010EZ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Hulmontering TO-220AB
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	8,5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 100µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2810 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	140W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-220AB
Pakke/hus	TO-220-3