Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 36.0375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKeys varenummer	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Producentens standard leveringstid	18 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Overflademontering PG-WHSON-8-U02
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	25 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	0,29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 1,448mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	17000 pF @ 12 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-WHSON-8-U02
Pakke/hus	8-PowerWDFN