IPW65R110CFDFKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

Parametrisk ækvivalent


Infineon Technologies
På lager: 194
Enhedspris : 41,02000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 610
Enhedspris : 57,08000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 382
Enhedspris : 50,57000 kr.
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhedspris : 52,12000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhedspris : 42,38000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhedspris : 33,02000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 508
Enhedspris : 39,02000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhedspris : 45,86000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 600
Enhedspris : 51,34000 kr.
Datablad
IHW15N120R3FKSA1
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPW65R110CFDFKSA1

DigiKeys varenummer
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
Producenter
Producentens varenummer
IPW65R110CFDFKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3-1
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Serie
Emballage
Rør
Varestatus
Forældet
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4,5V @ 1,3mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
277,8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
PG-TO247-3-1
Pakke/hus
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.