Name: IPT012N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT012N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 43.6 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPT012N08NF2SATMA1
DigiKeys varenummer	448-IPT012N08NF2SATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPT012N08NF2SATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IPT012N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPT012N08NF2SATMA1
Beskrivelse	MOSFET
Producentens standard leveringstid	18 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 39A (Ta), 351A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Overflademontering PG-HSOF-8-10
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPT012N08NF2SATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	80 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	39A (Ta), 351A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,23mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,8V @ 267µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	255 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	12000 pF @ 40 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HSOF-8-10
Pakke/hus	8-PowerSFN