IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPP60R280C6XKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 500

Enhedspris : 15,55000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 190

Enhedspris : 25,98000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 270

Enhedspris : 15,62000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 582

Enhedspris : 8,70000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 523

Enhedspris : 39,17000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 879

Enhedspris : 25,47000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPP60R280C6XKSA1
DigiKeys varenummer	IPP60R280C6XKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPP60R280C6XKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPP60R280C6XKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	13,8A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 430µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	950 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO220-3
Pakke/hus	TO-220-3
Grundlæggende varenummer	IPP60R280