IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPD65R950CFDATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Parametrisk ækvivalent

Infineon Technologies

På lager: 2.200

Enhedspris : 10,50000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 12,67000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 68

Enhedspris : 7,62000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1.764

Enhedspris : 22,78000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPD65R950CFDATMA1
DigiKeys varenummer	IPD65R950CFDATMA1-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPD65R950CFDATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Overflademontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	3,9A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 200µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	14.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	380 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	36,7W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO252-3
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Grundlæggende varenummer	IPD65R950