IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB120N03S4L03ATMA1
DigiKeys varenummer	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB120N03S4L03ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 120A (Tc) 79W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 40µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	5300 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	79W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB120