BSC159N10LSFGATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 670
Enhedspris : 6,57000 kr.
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 3.357
Enhedspris : 13,90000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 9.552
Enhedspris : 24,40000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 3.133
Enhedspris : 23,64000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 8.945
Enhedspris : 11,82000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 2.276
Enhedspris : 13,78000 kr.
Datablad
N-kanal 100 V 9,4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Overflademontering PG-TDSON-8-1
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

BSC159N10LSFGATMA1

DigiKeys varenummer
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter
Producentens varenummer
BSC159N10LSFGATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 100 V 9,4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Overflademontering PG-TDSON-8-1
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
BSC159N10LSFGATMA1 Modeller
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Serie
Emballage
Tape & Reel (TR)
Varestatus
Forældet
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
15,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
2,4V @ 72µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
114W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Overflademontering
Leverandørs enhedspakning
PG-TDSON-8-1
Pakke/hus
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.