Name: AIMBG75R020M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND
Price: 135.125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

AIMBG75R020M1HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-AIMBG75R020M1HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-AIMBG75R020M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	AIMBG75R020M1HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Producentens standard leveringstid	23 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 750 V 81A (Tc) 326W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	AIMBG75R020M1HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	750 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	81A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 34,1A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 12,2 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	70 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2326 pF @ 500 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	326W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-7
Pakke/hus	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Grundlæggende varenummer	AIMBG75