Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 273.8125 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

N-kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

AIMBG75R007M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies Americas Corp.
Producentens varenummer	AIMBG75R007M2HXTMA1
Beskrivelse	AIMBG75R007M2HXTMA1
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	AIMBG75R007M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 28,5mA
Mfr Infineon Technologies Americas Corp.	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 169 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 5854 pF @ 500 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 651W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Klasse Automotive
Afladning til kildespænding (Vdss) 750 V	Kvalifikation AEC-Q101
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 198A (Tc)	Monteringstype Overflademontering
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 20V	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-7-12
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 6,3mOhm @ 129,7A, 20V	Pakke/hus TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA