SQ4917EY-T1_GE3 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

Direkte

SQ4917EY-T1_BE3
Vishay Siliconix
På lager: 14.287
Enhedspris : 14,46000 kr.
Datablad

MFR Recommended

SQ4917CEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
På lager: 140
Enhedspris : 12,55000 kr.
Datablad

Similar

DMP6050SSD-13
Diodes Incorporated
På lager: 0
Enhedspris : 8,50000 kr.
Datablad
Se og sammenlign alle erstatningsvarer
MOSFET'er – Arrays 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQ4917EY-T1_GE3

DigiKeys varenummer
742-SQ4917EY-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR)
742-SQ4917EY-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT)
Producenter
Vishay Siliconix
Producentens varenummer
SQ4917EY-T1_GE3
Beskrivelse
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
MOSFET'er – Arrays 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Producenter
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Varestatus
Forældet
Teknologi
MOSFET (metaloxid)
Konfiguration
2 P-kanal (dobbelt)
FET-funktionalitet
-
Afladning til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
65nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1910pF @ 30V
Effekt - Maks.
5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TA)
Klasse
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Overflademontering
Pakke/hus
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Leverandørs enhedspakning
8-SOIC
Grundlæggende varenummer
SQ4917
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.
Wellicht bent u ook geïnteresseerd in
1 Elementer
SQ4917CEY-T1_GE3

SQ4917CEY-T1_GE3

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

Vishay Siliconix

12,55000 kr.