SISD5300DN N-kanal 30 V MOSFET

Vishays alsidige 30 V N-kanal TrenchFET® Gen V effekt-MOSFET har source flip-teknologi i en 3,3 mm x 3,3 mm PowerPAK® 1212-F-pakke. SiSD5300DN fylder det samme som PowerPAK 1212-8S og har 18 % lavere on-modstand, hvilket øger strømtætheden, mens source flip-teknologien reducerer den termiske modstand med +63 °C/W til +56 °C/W. Derudover repræsenterer MOSFET'er FOM en forbedring på 35 % i forhold til tidligere generationers enheder, hvilket udmønter sig i reducerede lednings- og switchtab for at spare energi i strømkonverteringsapplikationer.

PowerPAK1212-F source flip-teknologi vender de sædvanlige proportioner af jord- og kildeoverflader, hvilket udvider arealet af jordoverfladen for at give en mere effektiv termisk spredningsvej og fremmer dermed køligere drift. Samtidig minimerer PowerPAK 1212-F omfanget af switching-området, hvilket er med til at reducere påvirkningen fra trace-støj. Specifikt i PowerPAK 1212-F-pakken øges kildeoverfladedimensionen med en faktor 10, fra 0,36 mm til 4,13 mm, hvilket muliggør en tilsvarende forbedring af den termiske ydeevne. PowerPAK1212-F's center gate-design gør det også nemmere at parallelisere flere enheder på et enkeltlags kredsløbskort.