SiHR080N60E E-serien af effekt-MOSFET

For at give højere effektivitet og effekttæthed til telekommunikations-, industri- og computerapplikationer tilbyder Vishay deres fjerde generation af 600 V E-seriens effekt-MOSFET i deres topside-kølende PowerPAK^® 8 x 8LR-pakke. Sammenlignet med tidligere generationer af enheder reducerer N-kanal SiHR080N60E on-modstanden med 27 % og modstand gange gateladning, en vigtig FOM (figure of merit) for 600 V MOSFET'er, der bruges i effektkonverteringsapplikationer, med 60 %, samtidig med at den giver højere strøm på et mindre fodaftryk end enheder i D²PAK-pakken. SiHR080N60E's 10,42 mm x 8 mm x 1,65 mm PowerPAK 8 x 8LR-pakke med topsidekøling har et 50,8 % mindre fodaftryk end D²PAK, mens den har en 66 % lavere højde.

På grund af topside-kølingen har pakken en fremragende termisk kapacitet med en ekstremt lav varmemodstand mellem spærrelag og huset på +0,25 °C/W. Det giver mulighed for 46 % højere strøm end D²PAK ved samme on-modstandsniveau, hvilket giver en dramatisk højere effekttæthed. Derudover betyder SiHR080N60E's industrielt lave 3,1 Ω*nC on-modstand gange gateladning FOM reducerede lednings- og koblingstab for at spare energi og øge effektiviteten i effektsystemer på mere end 2 kW.

MOSFET'ens lave typiske effektive udgangskapacitanser C_o(er) og C_o(tr) på henholdsvis 79 pF og 499 pF forbedrer switching-ydelsen i hard-switched topologier såsom effektfaktorkorrektion (PFC eller power factor correction), half-bridge og two-switch forward-designs. Vishay tilbyder en bred vifte af MOSFET-teknologier, der understøtter alle trin i strømkonverteringsprocessen, fra højspændingsindgange til de lavspændingsudgange, der kræves for at drive højteknologisk udstyr. Med SiHR080N60E og andre enheder i den fjerde generation af 600 V E-serien imødekommer virksomheden behovet for forbedringer af effektivitet og effekttæthed i to af de første trin i strømsystemets arkitektur: PFC og de efterfølgende DC/DC-konverterblokke.