Vishay General Semiconductor - Diodes Division

C3D siliciumkarbid Schottky-dioder

Vishays 4 A til 40 A enheder har et fusioneret BEN-Schottky-design

Billede af Vishays 650 V siliciumkarbid Schottky-dioderVishay introducerer deres 650 V siliciumcarbid (SiC) Schottky-dioder, der byder på en fusioneret PIN Schottky (MPS) design. Disse enheder er designet til at øge effektiviteten af højfrekvente applikationer ved at reducere switch-tab, uanset virkningerne fra temperaturvariationer, så enhederne kan operere ved højere temperaturer. Enhedernes sammensluttede BEN-Schottky-design beskytter det elektriske felt mod Schottky-barrieren for at reducere lækagestrømme og samtidig øge overspændings strømskapaciteten via hullinjicering. Sammenlignet med rene Schottky-enheder håndterer disse dioder det samme strømniveau med kun en lille stigning i fremadrettet spændingsfald, mens de demonstrerer en betydeligt højere grad af robusthed, hvilket giver designere øget fleksibilitet i systemoptimering. De tilbydes i 2L TO-220AC- og TO-247AD 3L-pakker.

Specifikationer
  • Samlet BEN-Schotty-design
  • Positiv VF-temperaturkoefficient for nem parallelisering
  • Temperaturinvariant switch-adfærd
  • Fås med aktuelle ratings fra 4 A til 40 A
  • Giver høj temperatur drift til +175 °C
  • Opfylder JESD 201 klasse 1A whisker-test
  • Tilgængelig i 2L TO-220AC- og TO-247AD 3L-pakker
Applikationer
  • PFC og output korrektion i fly-back strømforsygninger
  • LLC-konvertere til servere
  • Telekommunikationsudstyr
  • UPS
  • Solcelle-invertere

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes

BilledeManufacturer Part NumberBeskrivelseStrøm - Lækstrøm @ VrHastighedStrøm - Gennemsnit ensrettet (Io)Tilgængeligt antal PrisVis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACVS-C12ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC65 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)12A0 - Immediate$13.68Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C10ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)10A0 - Immediate$11.68Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C20ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)20A0 - Immediate$25.44Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C16ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)8A0 - Immediate$20.56Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVS-C08ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC45 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)8A0 - Immediate$9.28Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACVS-C04ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC25 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)4A0 - Immediate$5.66Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACVS-C06ET07T-M3DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC75 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)6A0 - Immediate$7.68Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACVS-C40CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC100 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)20A0 - Immediate$61.58Vis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACVS-C20CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC55 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)10A0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220ACVS-C16CP07L-M3DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC85 µA @ 650 VHurtig genoprettelse =< 500ns, > 200mA (Io)16A0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
Published: 2021-01-20

Related Product Training Modules

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes Vishay’s 650 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes feature a merged PIN Schottky design and are designed to increase the efficiency of high-frequency applications.