Gen 3 1.200 V SiC Schottky-dioder

Vishays 16 Gen 3, 1.200 V siliciumcarbid Schottky-dioder har et fusioneret PIN Schottky-design (MPS). De kombinerer også høj robusthed over for overspændingsstrøm med lavt diodespænding, kapacitiv ladning og baglæns lækstrøm for at øge effektiviteten og pålideligheden i switch effekt-design. Diodernes MPS-struktur, som har en bagside, der er fortyndet via laserudglødningsteknologi, reducerer deres fremadrettede spændingsfald. Enhedernes lave typiske baglæns lækstrøm reducerer ledningstab, hvilket sikrer høj systemeffektivitet under lette belastninger og i tomgang. For yderligere at forbedre effektiviteten har Gen 3-dioderne stort set ingen genopretningshale, i modsætning til ultrahurtige dioder.

Disse dioder giver AC/DC PFC og DC/DC ultrahøjfrekvent udgangsudligning i FBPS- og LLC-omformere til applikationer som f.eks. solenergiinvertere, energilagringssystemer, industrielle drev og værktøjer og datacentre.