LMG1025-Q1 automotive enkeltkanal gate-driver

Texas Instruments ' LMG1025-Q1 enkeltkanals GaN FET-enheds-tilstand til forbedring af lav side og logisk niveau MOSFET-driver er designet til høje frekvensskift til automotive applikationer. Enheden tilbyder smal pulsbreddefunktion, hurtig skifte specifikation og lille pulsforvrængning for at forbedre LiDAR-, ToF- og effektkonverterens ydeevne markant. Udgangsimpulsbredden på 1,25 ns muliggør mere kraftfulde, øjnsikre diodeimpulser. Disse impulser kombineret med 300 ns forvrængning fører til længere rækkevidde og præcise LiDAR/ToF-systemer. Driveren tilbyder en 2,9 ns udbredelsesforsinkelse, hvilket markant forbedrer kontrol-loopens responstid og den samlede ydeevne for effektkonverterene. Den delte udgang gør det muligt at justere drive-styrken og timingen, uafhængigt af eksterne modstande mellem OUTH, OUTL og FET-gaten.

MOSFET-driveren har undervoltage lockout (UVLO) og beskyttelse mod overtemperatur (OTP) for at sikre, at enheden ikke bliver beskadiget under overbelastning eller fejlforhold. LMG1025-Q1 fås i en kompakt, blyfri AEC-Q100 automotiv-kvalificeret pakke til at imødekomme størrelsen og gate-loop induktanskrav til høj frekvensskift til automotiv-applikationer.