STGAP2SiCS galvanisk isoleret single gate-driver til SiC MOSFETs

STMicroelectronics' STGAP2SICSN galvanisk isolerede single gate-driver til siliciumcarbid effekttransistorer leveres i en SO8-standardpakning. Den tilbyder en passende isoleret driver til siliciumcarbid med et lille fodaftryk, der udnytter den nyeste galvaniske isolationsteknologi, hvilket gør det muligt at deklarere en 4,8 kV transient overspænding. Gate-driveren er kendetegnet ved en kapacitet på 4 A og kan bruges med en højspændingsskinne på op til 1700 V. dv/dt-transientimmuniteten er ±100 V/ns i hele temperaturområdet, hvilket sikrer en bemærkelsesværdig robusthed over for spændingstransienter.

Enheden fås i to konfigurationer. De giver høj fleksibilitet og en optimeret materialeliste for eksterne komponenter i overensstemmelse med projektstrategien. Den første mulighed har separate udgangsben for at optimere uafhængig tænding og slukning ved at bruge uafhængige modstande. Den anden konfiguration byder på et enkelt output-ben samt Miller Clamp-funktion der forhindrer gate-spikes under hurtige kommutationer i halv-bro topologier.

De CMOS/TTL-kompatible logiske indgange ned til 3,3 V sikrer et ukompliceret interface med mikrocontrollere og DSP-periferiudstyr. STGAP2SICSN-driveren giver brugerne mulighed for at designe systemer med høj pålidelighed takket være integrerede beskyttelsesfunktioner som UVLO med optimeret værdi for SiC MOSFET'er og termisk nedlukning, som brunger begge driverudgange ned for at skabe høj impedans i halvbroen, når junction-temperaturen når en fastsat tærskelværdi.

Standby-tilstand er til rådighed for at reducere strømforbruget i tomgang. STGAP2SICSN er velegnet til mellemstore og kraftige applikationer inden for strømkonvertering og industrielle applikationer. STGAP2SICSN leveres i en SO8N-pakke.